硅在半导体工业中是用来作衬底，高纯度的单晶硅先被拉制成硅棒。然后切片制备成晶圆。然后在通过cvd（化学气相沉积）c光刻c蚀刻等一系列复杂的工艺流程，在晶圆上制造大量的微小电路，从而形成超大规模集成电路。

    而在tft液晶中却有所不同，它需要在在衬底的基板玻璃上先附上一层硅膜。然后再在这层硅膜上制造用来控制液晶显示的集成电路。而制备晶圆的工艺，显然无法用于液晶面板上硅膜制造。相反半导体工艺中用来形成稳定固态薄膜的cvd设备，恰好可以解决在玻璃基板上覆盖硅膜的难题。

    早在原世界的1979年，英国的邓迪大学便是利用cvd设备制备非晶硅薄膜，并率先试制出了非晶硅tft液晶面板，rb和欧美企业以及科研机构便是迅速跟进研究。

    可这实验室试制和工业化规模生产之间是无法相提并论的，那些妄图抢先一步实现量产，在这上面投入了大笔资金的日企便是悲剧了，毕竟这非晶硅薄膜最早运用在太阳能电池上，其对于cvd设备的洁净度要求并不怎么敏感，但tft液晶对洁净度的要求甚至比芯片制备都要来得苛刻，所以想要只是简单的将这cvd设备进行改进就想用来生产tft液晶面板，那最后得来的产品良品率自然是格外的“喜人”了。

    高科电鼓捣出了初始版的tft液晶面板以后，也是遇到了良品率的问题，好在有寇德的提醒，高科精仪那边便是开始全力研发适用于非晶硅镀膜的cvd设备，倒也不至于束手无策。

    不过这研发的进度却是让寇德十分的蛋疼，在投入了大量的资金倾斜的情况下，既然不见好转，无奈之下，便是将主意打在了挖角上面，至于这挖角对象则是原世界鼎鼎大名的科林公司。

    之所以没有选择在应用材料挖掘，一来是因为其现在已是全球知名的半导体生产设备提供商，这样贸然的在其公司的挖人，到时高科精仪如果推出了设备会被控告盗窃技术那就很难办了，但是如果是科林公司的话却是好办得多，其在原世界里虽是和应用材料一般强大的半导体生产设备提供商，但在这个世界的时间点里却只是一个入行没有多久的新丁而已，在国际市场也是毫无名气可言，在其那里挖人毫无压力可言，更重要的是挖角的主要目标尹志尧就在这家公司任职。

    其在原世界里的美国硅谷从事半导体行业20多年，先后获取的技术专利高达60多个，开发或参与开发的cvd设备，在这个领域能够达到50，现在其虽没有达到那个程度，刚从英特尔研发中心应用开发部离职，但凭借在英特尔那里曾经参与等离子刻蚀机等关键半导体设备的研发经验，很快就是混到了科林研发部高层的地位，不过由于其在原世界中主导研发的彩虹号氧化物刻蚀机项目还没有开始，名气还没有大到让应用材料挖人的地步，只是一个普通的高层而已，这时得到高科精仪递过来的邀请函，这位便是想都没有想就答应了下来，向科林公司递交了辞呈，加盟了高科精仪。

    尹志尧加入科林公司也没有给他们带来太大的利益，在犹豫了一会儿以后，便是将其放行了。至于寇德为何能够记住这个人的名字，这还要从中微半导体被应用材料公司控告涉嫌盗用商业秘密c违反合同和不公平竞争说起。

    在原世界的04年，尹志尧放弃了美国的百万年薪，带领三十多人的团队，冲破美国政府的层层审查（所有人都承诺不把美国的技术带回中国，包括所有工艺配方c设计图纸，一切从零开始），回国创办了中微半导体，可刚进入试用阶段，未进入商业销售便是在07年受到了控诉。

    但中微半导体被控告的两项专利中，一项与尹志尧就职于应用材料时的工作无关，另一项则是根据电磁学及本公司推出的应用，不构成侵权，导致应用材料的举证软弱

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