而且这种装置在寇德被弄到这个世界之前都是还在沿用来生产12寸硅片的生产线上。

    当然在液晶面板生产线上，除了这低压cvd设备和常压cvd设备之外，还有等离子增强cvd（pecvd）设备，而且也是原来世界里液晶面板生产线上应用最多的技术和生产设备，因为在原世界tft液晶面板所采用的的玻璃基板大多都是碱性玻璃的缘故，无论是apcvd还是lpcvd都不太适应在碱性玻璃上镀膜，在前几代线上的时候还能派上用场，但随着技术的不断发展，这两种cvd技术的局限性就凸显了出来，毕竟这两种技术只局限于单一的镀膜层，而原世界中之所以良品率那么高，便是在这金属栅极上的又加入了绝缘层c非晶硅层c半导体非晶硅层以及最后的氮化硅或者二氧化硅这四道保护膜，这才实现了良品率突破了90，提升到近乎百分之百的地步。

    而pecvd设备却是没有这样的局限性，这制备过程中需要用到的四层非金属镀膜都可以利用这种设备解决，当然寇德目前并不打算将这东西推出来，一来是因为这pecvd设备的研究相比前两种设备的难度大了不止一筹，更是因为现在lpcvd设备已是够用，没有必要赶时间去研发，当然这并不意味着放弃这东西的研发，只是没有lpcvd设备这样赶而已，这技术可以花些功夫慢慢的将其琢磨出来。

    “好吧，这低压cvd设备确实存在明显的优势，这点我必须承认！”

    尹志尧也是不在揪着那些小瑕疵不放，而是考虑起了这技术的具体研究细节，“这低压cvd设备的温度问题倒是好解决，不过想要温度维持恒值却是一个麻烦的事情。”

    “确实如此，低压cvd设备想要达到理想的高温最好的方式莫过于电阻加热炉，但这电网电压的波动会引起加热电流的波动，影响炉膛温度的稳定（一般来说电网电压变化10v，炉膛温度大约变化50c左右。），而且当放满硅片的推舟进出炉堂时，炉膛温度波动100～200c，并且此工艺要求为层流，但有时会出现局部漩涡，从而引起局部温度波动。”

    陈爱华被这么一提醒，也是陷入了沉思，过了好一会儿才出言道，“想要降低以上因素对于温度产生较大影响，必须采用一套高精度温度控制系统来维持温度的恒定。”

    “想要解决这电压波动c负载波动c装载和工艺气体流动状态对温度的影响，单凭传统的单回路控制系统是无法同时对这些变化进行检测和控制，若是想要实现较好的控制效果，我建议采用更复杂的串级控制。”

    听了寇德的这话，尹志尧和陈爱华都是一愣，有些疑惑道，“串级控制，为何不是多回路控制呢？”

    “串级控制系统与多回路虽然都是由主回路和副回路构成，但两者的区别在于串联控制系统的副回路给的定值不是常量，而是变量，这样就可以保证其采用的电阻炉加热产生的温度，可以分为多个温区，保证恒温区的精度c长度和高稳定性，同时，为使3组内热偶检测出的温度信号尽量准确，将其在400－1 300c的温度下进行严格的校正，使其相互间的偏差5μv之内（即控制在恒温区精度指标的一半内），这对于恒温区精度的保证及恒温区的自动校正至关重要。由于各组加热器所处位置不同，保温层特性很难保证其一致性；再者，对于不同工艺，温度段的要求也不尽相同；第三，温度在不同的温度段1c所对应的微伏值也不同。因此，应对pid参数的优化组合c跟踪运用来配合串级控制，及确保恒温区温度均匀性以及良好的稳定性。”

    寇德这么一番解释下来，尹至尧也是明白了过来，赞同道，“嗯，这串联控制确实好过于多回路控制，在同样能够达到改善对象特性，提高系统工作效率，提高控制品质和系统可控性的情况下，

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