“低压cvd吗？”

    随着现代科技的发展，哪怕是一个领域的天才，想要在自个的领域里的全部研究方向取得进展都是不可能的，最多也就是在无数个方向里选择一条确实可行的道路，日复一日的在这个领域专研，最终取得了成功，便是可以算是这个领域的专家了，而在半导体生产设备方面，尹志尧虽然已是算得上个专家了，但是对于这低压cvd这个全新的原理却是要好好的想一想。

    “这低压cvd应该是利用一种或者是多种气态物质，在较低压力下，用热能激活，使其发生热分解或者化学反应，沉积在衬底表面形成所需的薄膜技术吧！”

    尹志尧还没有想出个所以然出来，刚跑过来了解情况的陈爱华却是提出了自己的见解，让寇德不禁多看了其一眼，暗叹道，“不愧是是以后能在应用材料里开发出反应气体均匀分布技术，成为应用材料公司低压化学沉积设备的标准，为应用材料公司确立了单片低气压化学薄膜沉积设备世界领先地位得牛人，自己这么一提示便是想到了这低压cvd设备的基本工作原理。”

    “陈博士倒是说到点子上了，这种cvd设备的原理便是以气体形式提供构成薄膜的原料，反应尾气由抽气系统排除。通过热能除加热基片到适当温度之外，还对气体分子进行激发c分解，促进其反应，分解生成物或反应产物沉积在基片表面形成薄膜。”

    寇德点点头接着道，“这低压cvd拥有很均匀的阶梯覆盖性c很好的组成成份和结构的控制c很高的积沉速率及输出量及很低得制程成本。而且这种制备方法不需要载子气体，因此可以大大的降低颗粒污染源，所以用这来制备液晶面板这种高附加值的半导体产业中，在合适不过了。”

    “这低压cvd设备确实可以极大的提高良品率，但是因为气体分子间的碰撞频率下降，使得薄膜沉积频率相较于常压cvd速度慢了不少！”

    尹志尧这时也是回过味来，提出了自己的异议，“而且想要达到低压的效果，炉管里的温度也是比常压cvd设备高出一大截”

    “但这无法掩饰着低压cvd相比常压cvd的天然优势。其一，每次装硅的片量起码可以将由一片或者是几十片增加到几百片；其二，薄膜的片内均匀性由厚度偏差10一20改进到1一3；成本降低到常压情况下的10左右。”

    陈爱华扳着指头，将自己考虑到的低压cvd设备优势一一的诉说了一遍以后，最后一锤定音道，“而且这个低压cvd设备可以随着硅片的直径越来越大一直沿用下去，而这常压cvd设备恐怕应用在6英寸硅片上就格外的吃力了吧！”

    寇德对于陈爱华说得话，倒是毫无意义的，就拿这生产量来说吧，低压cvd设备是完爆常压cvd设备的，因为常压cvd 设备的操作在“物质传输限制”区域，因此它的腔体设计必须使每一片晶片表面有相等的流量，这也导致晶片不能垂直且彼此非常靠近的方式来摆置，只能平躺着来，从而导致极易被掉落的微尘粒污染，造成良品率不佳。

    而低压cvd设备的炉管设计不会受到在“物质传输限制”区域內反应的限制，因此它的几何形状可设计成使每批的晶片数达到最大值，晶片可以一片接著一片垂直摆置，片与片之间的距离可以只有几毫米，因此几个石英制的晶片载舟，加起来可放超过200片的晶片，且能够维持高良品率的所在，只因为其采用的是不同于常压cvd设备的“表面反应限制”区域，不过这也导致其需要的温度远高于常压cvd设备，反应温度从300c至900c不等。

    纵使这低压cvd有这些瑕疵，但并不影响其先进性，毕竟在原世界里，其已经面世便是被誉为集成电路制造工艺中的一项重大突破性进展，当时号称为三个数量级的突破，

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